RFP3055LE
Modello di prodotti:
RFP3055LE
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17966 Pieces
Scheda dati:
1.RFP3055LE.pdf2.RFP3055LE.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:107 mOhm @ 8A, 5V
Dissipazione di potenza (max):38W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RFP3055LE
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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