RF081M2STR
RF081M2STR
Modello di prodotti:
RF081M2STR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12811 Pieces
Scheda dati:
RF081M2STR.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:950mV @ 800mA
Tensione - inversa (Vr) (max):200V
Contenitore dispositivo fornitore:PMDU
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):25ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOD-123
Temperatura di funzionamento - Giunzione:150°C (Max)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RF081M2STR
Descrizione espansione:Diode Standard 200V 800mA Surface Mount PMDU
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 200V
Corrente - raddrizzata media (Io):800mA
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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