PMXB56ENZ
PMXB56ENZ
Modello di prodotti:
PMXB56ENZ
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17995 Pieces
Scheda dati:
PMXB56ENZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DFN1010D-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:55 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):400mW (Ta), 8.33W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-XDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-2313-2
568-12599-2
568-12599-2-ND
934067234147
PMXB56ENZ-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:PMXB56ENZ
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:209pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A (Ta)
Email:[email protected]

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