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PMPB95ENEAX
- Modello di prodotti:
- PMPB95ENEAX
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18478 Pieces
- Scheda dati:
- PMPB95ENEAX.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.7V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 105 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 1727-2705-2 568-13224-2 568-13224-2-ND 934067476115 PMPB95ENEAX-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PMPB95ENEAX |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 504pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 80V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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