NTMFS4922NET1G
NTMFS4922NET1G
Modello di prodotti:
NTMFS4922NET1G
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15968 Pieces
Scheda dati:
NTMFS4922NET1G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):930mW (Ta), 69.44W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN, 5 Leads
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:NTMFS4922NET1G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5505pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:76.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 17.1A (Ta), 147A (Tc) 930mW (Ta), 69.44W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17.1A (Ta), 147A (Tc)
Email:[email protected]

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