MRF5812R2
Modello di prodotti:
MRF5812R2
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
quantità disponibile:
13821 Pieces
Scheda dati:
MRF5812R2.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):18V
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Potenza - Max:1.25W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Di rumore (dB tip @ f):2dB @ 500MHz
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:MRF5812R2
Guadagno:15.5dB
Frequenza - transizione:5GHz
Descrizione espansione:RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
Descrizione:RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:50 @ 50mA, 5V
Corrente - collettore (Ic) (max):200mA
Email:[email protected]

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