MB6M-G - Comchip Technology - Diodi-raddrizzatori ponte MB6M-G

MB6M-G

Modello di prodotti:: MB6M-G

fabbricante:: Comchip Technology

Descrizione:: BRIDGE DIODE GPP 0.8A 600V MBM

Stato Lead senza piombo / RoHS:: Senza piombo / RoHS conforme

quantità disponibile:: 19086 Pieces

Scheda dati:: MB6M-G.pdf

Inchiesta

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per MB6M-G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MB6M-G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.

Acquistare MB6M-G con BYCHPS

Acquista con garanzia

Specifiche

Tensione - Picco inversa (max):	600V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:	1.1V @ 800mA
Tecnologia:	Standard
Contenitore dispositivo fornitore:	MBM
Serie:	-
imballaggio:	Tube
Contenitore / involucro:	MBM
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:	MB6M-G
Descrizione espansione:	Bridge Rectifier Single Phase 600V 800mA Through Hole MBM
Tipo diodo:	Single Phase
Descrizione:	BRIDGE DIODE GPP 0.8A 600V MBM
Corrente - Dispersione inversa a Vr:	5µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):	800mA
Email:	[email protected]

Parti relative per MB6M-G

Modello di prodotti	Produttori	Descrizione	vista
VUO86-08NO7	IXYS	RECT BRIDGE 3PH 800V ECO-PAC1	Inchiesta
ABS10-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 1000V 1A ABS	Inchiesta
GBL01/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 4A 100V GBL	Inchiesta
BU20065S-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 600V 20A BU-5S	Inchiesta
T483F	Crydom Co.	MODULE POWER	Inchiesta
ABS10-HF	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 1000V 1A ABS	Inchiesta
VBO21-12NO7	IXYS	DIODE BRIDGE 21A 1200V ECO-PAC1	Inchiesta
KBU8G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 400V 8A KBU	Inchiesta

introduzione

Specifiche

Richiesta rapida citazione

Latest Notizie