Acquistare LET9180 con BYCHPS
Acquista con garanzia
LET9180
- Modello di prodotti:
- LET9180
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- IC RF TRANSISTOR LDMOS M246
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18621 Pieces
- Scheda dati:
- LET9180.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per LET9180, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per LET9180 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 32V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 80V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | M246 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 175W |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | M246 |
| Altri nomi: | 497-14586 LET9180-ND |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | LET9180 |
| Guadagno: | 20dB |
| Frequenza: | 860MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 32V 500mA 860MHz 20dB 175W M246 |
| Descrizione: | IC RF TRANSISTOR LDMOS M246 |
| Valutazione attuale: | 24A |
| Corrente - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per LET9180
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GTVA220701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | Inchiesta |
 |
MRF6S9045MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | Inchiesta |
 |
J309_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 30MA TO92 | Inchiesta |
 |
BF1201WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | Inchiesta |
 |
PTFA212401F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 | Inchiesta |
 |
MAGX-002731-180L00 | M/A-Com Technology Solutions | FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ | Inchiesta |
 |
PTFA041501GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2 | Inchiesta |
 |
LET9150 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 20A M-246 | Inchiesta |
 |
MRFE6S9045NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 | Inchiesta |
|
MRF7S21170HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S | Inchiesta |
|
LET9120 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 18A M-246 | Inchiesta |
|
BF1204,135 | NXP USA Inc. | FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog