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JANTXV2N6849
- Modello di prodotti:
- JANTXV2N6849
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 100V 6.5A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 13812 Pieces
- Scheda dati:
- JANTXV2N6849.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-205AF (TO-39) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/564 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-205AF Metal Can |
| Altri nomi: | JANTXV2N6849-MIL |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | JANTXV2N6849 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 34.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 100V 6.5A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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