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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > JAN2N6768
JAN2N6768
Modello di prodotti:
JAN2N6768
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
17467 Pieces
Scheda dati:
JAN2N6768.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/543
Rds On (max) a Id, Vgs:400 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max):4W (Ta), 150W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-204AE
Altri nomi:JAN2N6768-MIL
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:JAN2N6768
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 400V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole
Tensione drain-source (Vdss):400V
Descrizione:MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

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