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IXTY4N60P
- Modello di prodotti:
- IXTY4N60P
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH TO-252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19020 Pieces
- Scheda dati:
- IXTY4N60P.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXTY4N60P, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXTY4N60P via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252 |
| Serie: | PolarHV™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 89W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXTY4N60P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 635pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 4A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH TO-252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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