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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTY06N120P
IXTY06N120P
Modello di prodotti:
IXTY06N120P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16125 Pieces
Scheda dati:
IXTY06N120P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:-
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXTY06N120P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 90A (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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