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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTH5N100A
IXTH5N100A
IXTH5N100A
Modello di prodotti:
IXTH5N100A
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19371 Pieces
Scheda dati:
IXTH5N100A.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 (IXTH)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:2 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):180W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:Q917004
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTH5N100A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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