Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTH52P10P
IXTH52P10P
IXTH52P10P
Modello di prodotti:
IXTH52P10P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12354 Pieces
Scheda dati:
IXTH52P10P.pdf
Inchiesta

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per IXTH52P10P, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXTH52P10P via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare IXTH52P10P con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 (IXTH)
Serie:PolarP™
Rds On (max) a Id, Vgs:50 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTH52P10P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2845pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 100V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per IXTH52P10P

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
NDT02N40T1G Image NDT02N40T1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223 Inchiesta
IXTH50N25T Image IXTH50N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 50A TO-247 Inchiesta
2SK3745LS Image 2SK3745LS ON Semiconductor MOSFET N-CH 1500V 2A TO-220FI Inchiesta
IXTH52N65X Image IXTH52N65X IXYS MOSFET N-CH 650V 52A TO-247 Inchiesta
IXTH50N20 Image IXTH50N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD Inchiesta
IPD60R380P6BTMA1 Image IPD60R380P6BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3TO252 Inchiesta
NP80N06MLG-S18-AY Image NP80N06MLG-S18-AY Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 Inchiesta
IXTH54N30T Image IXTH54N30T IXYS MOSFET N-CH 300V 54A TO-247 Inchiesta
IXTH5N100A Image IXTH5N100A IXYS MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD Inchiesta
IPP65R099C6XKSA1 Image IPP65R099C6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 38A TO220 Inchiesta
IXTH50P10 Image IXTH50P10 IXYS MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD Inchiesta
NTS2101PT1G Image NTS2101PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 Inchiesta
IXTH500N04T2 Image IXTH500N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 Inchiesta
IXTH50N30 Image IXTH50N30 IXYS MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 Inchiesta
IXTH50P085 Image IXTH50P085 IXYS MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD Inchiesta
IXTH56N15T Image IXTH56N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 56A TO-247 Inchiesta
IRF3315STRL Image IRF3315STRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Inchiesta
FDD86102LZ Image FDD86102LZ Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 8A DPAK Inchiesta
IRFS17N20DTRL Image IRFS17N20DTRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK Inchiesta

Latest Notizie