IXTH20N60
IXTH20N60
Modello di prodotti:
IXTH20N60
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12445 Pieces
Scheda dati:
IXTH20N60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 (IXTH)
Serie:MegaMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:350 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTH20N60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 20A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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