IXTH02N250
IXTH02N250
Modello di prodotti:
IXTH02N250
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16454 Pieces
Scheda dati:
IXTH02N250.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 (IXTH)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:450 Ohm @ 50mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTH02N250
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:116pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 2500V (2.5kV) 200mA (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):2500V (2.5kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Tc)
Email:[email protected]

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