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IXFX40N90P
- Modello di prodotti:
- IXFX40N90P
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH PLUS247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15797 Pieces
- Scheda dati:
- IXFX40N90P.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PLUS247™-3 |
| Serie: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 230 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 960W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXFX40N90P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 230nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 40A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH PLUS247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFX40N90P
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX44N55Q | IXYS | MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247 | Inchiesta |
 |
IPP80N06S2H5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | Inchiesta |
 |
IRFB4137PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK | Inchiesta |
 |
TK31N60W,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 | Inchiesta |
 |
BSP126,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 | Inchiesta |
 |
IRLR3715TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 54A DPAK | Inchiesta |
|
IXFX44N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 | Inchiesta |
|
BUZ31 E3046 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 | Inchiesta |
 |
IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | Inchiesta |
|
IRFZ44STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | Inchiesta |
 |
HUFA76619D3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK | Inchiesta |
|
IXFX420N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX48N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 48A PLUS247 | Inchiesta |
 |
RJK6002DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 2A MP3A | Inchiesta |
|
IXFX44N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX44N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX48N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 | Inchiesta |
 |
SI3812DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP | Inchiesta |
|
IXFX44N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX48N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247 | Inchiesta |
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