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IXFN66N85X
IXFN66N85X
Modello di prodotti:
IXFN66N85X
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13109 Pieces
Scheda dati:
IXFN66N85X.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:65 mOhm @ 33A, 10V
Dissipazione di potenza (max):830W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFN66N85X
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:230nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 850V 65A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):850V
Descrizione:850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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