Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFN60N60
IXFN60N60
IXFN60N60
Modello di prodotti:
IXFN60N60
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16021 Pieces
Scheda dati:
IXFN60N60.pdf
Inchiesta

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per IXFN60N60, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFN60N60 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare IXFN60N60 con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:75 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):700W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFN60N60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:15000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:380nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 60A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per IXFN60N60

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
RZR040P01TL Image RZR040P01TL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 Inchiesta
IRFPF50 Image IRFPF50 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC Inchiesta
IRFI7440GPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 95A Inchiesta
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 Inchiesta
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS Inchiesta
AON2408 Image AON2408 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B Inchiesta
BSP135H6327XTSA1 Image BSP135H6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Inchiesta
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B Inchiesta
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B Inchiesta
DMP2130LDM-7 Image DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 Inchiesta
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B Inchiesta
JANTX2N7224U Microsemi Corporation MOSFET N-CH 100V 34A Inchiesta
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B Inchiesta
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 Inchiesta
NTMFS4922NET1G Image NTMFS4922NET1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL Inchiesta
IRF5305PBF Image IRF5305PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB Inchiesta
IRFR9310 Image IRFR9310 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK Inchiesta
CXDM1002N TR Image CXDM1002N TR Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 Inchiesta
IXFN64N60P Image IXFN64N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 Inchiesta

Latest Notizie