IXFN56N90P
IXFN56N90P
Modello di prodotti:
IXFN56N90P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18935 Pieces
Scheda dati:
IXFN56N90P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:6.5V @ 3mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:Polar™
Rds On (max) a Id, Vgs:135 mOhm @ 28A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1000W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFN56N90P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:23000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:375nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 900V 56A 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione:MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:56A
Email:[email protected]

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