IXFN55N50F
IXFN55N50F
Modello di prodotti:
IXFN55N50F
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13163 Pieces
Scheda dati:
IXFN55N50F.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:HiPerRF™
Rds On (max) a Id, Vgs:85 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):600W (Tc)
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFN55N50F
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:195nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 55A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:55A (Tc)
Email:[email protected]

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