Acquistare IXFN26N90 con BYCHPS
Acquista con garanzia
IXFN26N90
- Modello di prodotti:
- IXFN26N90
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17034 Pieces
- Scheda dati:
- IXFN26N90.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXFN26N90, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFN26N90 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-227B |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 300 mOhm @ 13A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 600W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXFN26N90 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10800pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 900V 26A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 900V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 26A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFN26N90
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN210N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXFN26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 | Inchiesta |
|
IXFN21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B | Inchiesta |
|
IXFN27N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN230N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN280N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | Inchiesta |
|
IXFN280N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog