IXFK35N50
IXFK35N50
Modello di prodotti:
IXFK35N50
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12058 Pieces
Scheda dati:
IXFK35N50.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-264AA (IXFK)
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:150 mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):416W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFK35N50
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:227nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 35A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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