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IRF830LPBF
IRF830LPBF
Modello di prodotti:
IRF830LPBF
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12843 Pieces
Scheda dati:
IRF830LPBF.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-262-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 74W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:*IRF830LPBF
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF830LPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:610pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole TO-262-3
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IRF830STRL Image IRF830STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK Inchiesta
IRF830L Image IRF830L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262 Inchiesta
IRF830ASTRLPBF Image IRF830ASTRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK Inchiesta
IRF830APBF Image IRF830APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB Inchiesta
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IRF830ASTRL Image IRF830ASTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK Inchiesta
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