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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IRF830ASPBF
IRF830ASPBF
IRF830ASPBF
Modello di prodotti:
IRF830ASPBF
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16422 Pieces
Scheda dati:
IRF830ASPBF.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 74W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:*IRF830ASPBF
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF830ASPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:620pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IRF830STRLPBF Image IRF830STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK Inchiesta
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