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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IRF820PBF
IRF820PBF
IRF820PBF
Modello di prodotti:
IRF820PBF
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17803 Pieces
Scheda dati:
1.IRF820PBF.pdf2.IRF820PBF.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:*IRF820PBF
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF820PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IRF820STRL Image IRF820STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Inchiesta
IRF820 Image IRF820 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB Inchiesta
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