FDN306P
Modello di prodotti:
FDN306P
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15999 Pieces
Scheda dati:
1.FDN306P.pdf2.FDN306P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:FDN306P_F095
FDN306P_F095TR
FDN306P_F095TR-ND
FDN306PF095
FDN306PTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
codice articolo del costruttore:FDN306P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1138pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 12V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione:MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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