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FDMS3669S
- Modello di prodotti:
- FDMS3669S
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15649 Pieces
- Scheda dati:
- FDMS3669S.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDMS3669S, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDMS3669S via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.7V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10 mOhm @ 13A, 10V |
| Potenza - Max: | 1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | FDMS3669STR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FDMS3669S |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1605pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A, 18A |
| Email: | [email protected] |
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