FDMD8900
FDMD8900
Modello di prodotti:
FDMD8900
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V POWER
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16304 Pieces
Scheda dati:
FDMD8900.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:12-Power3.3x5
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4 mOhm @ 19A, 10V
Potenza - Max:2.1W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:12-PowerWDFN
Altri nomi:FDMD8900TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDMD8900
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2605pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V POWER
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:19A, 17A
Email:[email protected]

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