FDMA291P
FDMA291P
Modello di prodotti:
FDMA291P
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19087 Pieces
Scheda dati:
FDMA291P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-MicroFET (2x2)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:42 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):2.4W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-VDFN Exposed Pad
Altri nomi:FDMA291PTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:FDMA291P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 6.6A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.6A (Ta)
Email:[email protected]

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