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EPC2106ENGRT
- Modello di prodotti:
- EPC2106ENGRT
- fabbricante:
- EPC
- Descrizione:
- TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14070 Pieces
- Scheda dati:
- EPC2106ENGRT.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per EPC2106ENGRT, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per EPC2106ENGRT via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 600µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 70 mOhm @ 2A, 5V |
| Potenza - Max: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Altri nomi: | 917-EPC2106ENGRTR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EPC2106ENGRT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 75pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.73nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.7A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per EPC2106ENGRT
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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