EPC2103ENG
EPC2103ENG
Modello di prodotti:
EPC2103ENG
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19334 Pieces
Scheda dati:
EPC2103ENG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 7mA
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.5 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-EPC2103ENG
EPC2103ENGRH7
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC2103ENG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

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