Acquistare EPC2102ENGRT con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 7mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Potenza - Max: | - |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Altri nomi: | 917-EPC2102ENGRDKR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | EPC2102ENGRT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.8nC @ 5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) Surface Mount Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 23A (Tj) |
| Email: | [email protected] |