Acquistare EPC2021 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 14mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +6V, -4V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Altri nomi: | 917-1089-2 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | EPC2021 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1650pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 80V 90A (Ta) Surface Mount Die |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 90A (Ta) |
| Email: | [email protected] |