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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2016
EPC2016
EPC2016
Modello di prodotti:
EPC2016
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17206 Pieces
Scheda dati:
EPC2016.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 3mA
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:16 mOhm @ 11A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1027-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC2016
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:520pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.2nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 11A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC2016

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Inchiesta
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