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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2010C
EPC2010C
EPC2010C
Modello di prodotti:
EPC2010C
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17162 Pieces
Scheda dati:
EPC2010C.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 3mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die Outline (7-Solder Bar)
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 12A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1085-2
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:EPC2010C
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5.3nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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