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EM6K31GT2R
- Modello di prodotti:
- EM6K31GT2R
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13742 Pieces
- Scheda dati:
- EM6K31GT2R.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 1mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| Potenza - Max: | 120mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | EM6K31GT2RTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | EM6K31GT2R |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 15pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 120mW Surface Mount EMT6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 250mA |
| Email: | [email protected] |
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