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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD19534KCS
CSD19534KCS
Modello di prodotti:
CSD19534KCS
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
13277 Pieces
Scheda dati:
CSD19534KCS.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:16.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):118W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:296-38676-5
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD19534KCS
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1670pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 100A (Ta) 118W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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