CSD18535KTTT
Modello di prodotti:
CSD18535KTTT
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 200A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17936 Pieces
Scheda dati:
CSD18535KTTT.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DDPAK/TO-263-3
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:2 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Altri nomi:296-44121-2
CSD18535KTTT-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD18535KTTT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6620pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:81nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 200A (Ta), 279A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 200A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200A (Ta), 279A (Tc)
Email:[email protected]

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