CSD18510KTTT
Modello di prodotti:
CSD18510KTTT
fabbricante:
Descrizione:
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17474 Pieces
Scheda dati:
CSD18510KTTT.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DDPAK/TO-263-3
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.6 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):188W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Altri nomi:296-45229-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD18510KTTT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:132nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 200A 188W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200A
Email:[email protected]

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