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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD13201W10
CSD13201W10
Modello di prodotti:
CSD13201W10
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13098 Pieces
Scheda dati:
CSD13201W10.pdf
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introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-DSBGA (1x1)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:34 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.2W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-UFBGA, DSBGA
Altri nomi:296-41412-2
CSD13201W10-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD13201W10
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:462pF @ 6V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.9nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione:MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.6A (Ta)
Email:[email protected]

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