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APTSM120AM25CT3AG
- Modello di prodotti:
- APTSM120AM25CT3AG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- POWER MODULE - SIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18244 Pieces
- Scheda dati:
- APTSM120AM25CT3AG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 4mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 80A, 20V |
| Potenza - Max: | 937W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP3 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APTSM120AM25CT3AG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10200pF @ 1000V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 544nC @ 20V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Caratteristica FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 148A (Tc) 937W Chassis Mount SP3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | POWER MODULE - SIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 148A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTSM120AM25CT3AG
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APTSM120AM08CT6AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | Inchiesta |
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APTSM120AM09CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | Inchiesta |
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APTSM120AM55CT1AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | Inchiesta |
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APTSM120TAM33CTPAG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | Inchiesta |
|
APTSM120AM14CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | Inchiesta |
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