APTMC120AM16CD3AG
APTMC120AM16CD3AG
Modello di prodotti:
APTMC120AM16CD3AG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12559 Pieces
Scheda dati:
APTMC120AM16CD3AG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 5mA (Typ)
Contenitore dispositivo fornitore:D3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 100A, 20V
Potenza - Max:625W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:D-3 Module
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTMC120AM16CD3AG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4750pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:246nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 131A 625W Chassis Mount D3
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:131A
Email:[email protected]

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