APTM20DAM10TG
Modello di prodotti:
APTM20DAM10TG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 175A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13149 Pieces
Scheda dati:
APTM20DAM10TG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 87.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):694W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APTM20DAM10TG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:224nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 175A 694W (Tc) Chassis Mount SP4
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 175A SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:175A
Email:[email protected]

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