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APTM120U10SCAVG
- Modello di prodotti:
- APTM120U10SCAVG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19207 Pieces
- Scheda dati:
- APTM120U10SCAVG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per APTM120U10SCAVG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per APTM120U10SCAVG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 20mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP6 |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 120 mOhm @ 58A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3290W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APTM120U10SCAVG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 28900pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1100nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1200V (1.2kV) 116A 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 116A |
| Email: | [email protected] |
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