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APTM120H29FG
- Modello di prodotti:
- APTM120H29FG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17978 Pieces
- Scheda dati:
- 1.APTM120H29FG.pdf2.APTM120H29FG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 5mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP6 |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 348 mOhm @ 17A, 10V |
| Potenza - Max: | 780W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP6 |
| Altri nomi: | APTM120H29FGMI APTM120H29FGMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APTM120H29FG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10300pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 374nC @ 10V |
| Tipo FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 34A |
| Email: | [email protected] |
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