APTM120A29FTG
Modello di prodotti:
APTM120A29FTG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13436 Pieces
Scheda dati:
1.APTM120A29FTG.pdf2.APTM120A29FTG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:348 mOhm @ 17A, 10V
Potenza - Max:780W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTM120A29FTG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:374nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:34A
Email:[email protected]

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