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APTM10DHM09T3G
- Modello di prodotti:
- APTM10DHM09T3G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13932 Pieces
- Scheda dati:
- APTM10DHM09T3G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP3 |
| Serie: | POWER MOS V® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 390W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP3 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APTM10DHM09T3G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9875pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 350nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 139A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTM10DHM09T3G
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