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APTM100A13DG
- Modello di prodotti:
- APTM100A13DG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15475 Pieces
- Scheda dati:
- APTM100A13DG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per APTM100A13DG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per APTM100A13DG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 6mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 156 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 1250W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APTM100A13DG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 15200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 562nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 65A |
| Email: | [email protected] |
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