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APT8M100B
- Modello di prodotti:
- APT8M100B
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18642 Pieces
- Scheda dati:
- 1.APT8M100B.pdf2.APT8M100B.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 290W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APT8M100B |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1885pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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